IT之家11月19日援引韩媒Naver报道，三星已经与美国Silicon Frontline Technology公司合作，在生产工艺上提高其半导体芯片的良率，以便在3 nm工艺上赶上TSMC。
报道称，三星电子先进工艺的良品率很低。从5 nm工艺开始，就存在成品率的问题，在4 nm和3 nm工艺中情况变得更糟。据说三星3 nm溶液工艺量产以来，良品率没有超过20%，量产进度陷入瓶颈。
目前，三星在4nm和5nm工艺的节点上出现了与输出相关的问题，公司不希望这个问题在3nm工艺上再次出现。因此，我们希望与硅前线技术公司合作，帮助三星晶圆厂提高前端技术和芯片性能。
IT之家了解到，这家美国公司提供芯片资质评估和ESD(静电放电)防护技术。ESD是造成半导体芯片缺陷的主要原因之一，它是由制造过程中设备与金属之间的摩擦引起的。据悉，三星在芯片设计和生产过程中与Silicon Frontline进行了长期合作，并取得了令人满意的结果。该公司现在将在芯片验证过程中使用其技术。